文献

J-GLOBAL ID：200902176262998480   整理番号：02A0754071

シリコン表面の酸化機構 極薄シリコン酸化膜形成過程のリアルタイムRHEED-AES観察

Oxidation Mechanism of Silicon Surface. Growth Kinetics of Very Thin Oxide Layers on Si(001) Surface Monitored in Real-time by Auger Electron Spectroscopy Combined with Reflection High Energy Electron Diffraction.

著者 (1件)： 高桑雄二 (東北大 多元物質科研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 23  号： 9  ページ： 536-552  発行年： 2002年09月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RHEED-AESによる実時間モニタリング法によるSi(00...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0754071&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0940B") }}

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (65件)：

• 1) 菅原活郎,福田 宏:超LSIプロセッシング (培風館,1997) p. 52.
• 2) B.E. Deal and A.S. Grove: J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
• 3) H.Z. Massoud, J.D. Plummer and E.A. Irene: J. Electrochem. Soc. 132, 2685 (1985).
• 4) H. Kageshima and K. Shiraishi: Phys. Rev. Lett. 81, 5936 (1998).
• 5) H. Kageshima, K. Shiraishi and M. Uematsu: Jpn. J. Appl. Phys. 38, L 971 (1999).

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  酸化機構 ,  シリコン酸化膜 ,  形成過程 ,  リアルタイム ,  RHEED ,  AES ,  観察