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J-GLOBAL ID：200902177360194590   整理番号：03A0011612

4H-SiCホモエピタクシー膜における表面形態欠陥と結晶欠陥の対応

Correspondence between Surface Morphological Faults and Crystallographic Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Film.

著者 (6件)： OKADA T (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NODA H (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  EBISUI T (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  INOKO F (Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 11A  ページ： 6320-6326  発行年： 2002年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)オフカット基板上にホモエピタクシー成長した4H-...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• 1) D. J. Larkin and L. G. Matus: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1659.
• 2) M. Bhatnagar and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 40 (1993) 645.
• 3) P. Pirouz and J. W. Yang: Ultramicroscopy 51 (1993) 189.
• 4) Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 52 (1981) 146.
• 5) H. Matsunami and T. Kimoto: Mater. Sci. Eng. R20 (1997) 125.

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  ホモ ,  エピタクシー膜 ,  表面形態 ,  欠陥 ,  結晶欠陥