InxGa1-xN(x<0.2)にドープしたMgの活性化エネルギーと電子的活性度

文献

J-GLOBAL ID：200902179154540220 整理番号：00A0447642

Activation Energy and Electrical Activity of Mg in Mg-Doped InxGa1-xN (x<0.2).

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巻： 39 号： 4B ページ： L337-L339 発行年： 2000年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

金属有機蒸気相エピタキシー成長させたInGaNでInのモル分...

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不純物・欠陥の電子構造 , 半導体の結晶成長

引用文献 (14件)：

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In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(x<0.2)にドープしたMgの活性化エネルギーと電子的活性度