CAICISS(同軸型直衝突イオン散乱分光法)を用いた単結晶の最表面原子層制御

文献

J-GLOBAL ID：200902179531111054 整理番号：99A0069883

Atomic Layer Control on the Topmost Layers of Single Crystals by CAICISS(Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy).

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資料名：
巻： 19 号： 10 ページ： 672-679 発行年： 1998年10月
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

最表面の原子種や構造を調べるためにRHEED,AFM,XPS...

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半導体の表面構造

引用文献 (15件)：

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