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J-GLOBAL ID：200902181211652833   整理番号：02A0272770

O₂雰囲気中でのMgドープGaNの低温での活性化

Low Temperature Activation of Mg-Doped GaN in O₂ Ambient.

著者 (7件)： KUO C H (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG S J (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SU Y K (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WU L W (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SHEU J K (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHEN C H (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHI G C (National Central Univ., Chung-Li, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 2A  ページ： L112-L114  発行年： 2002年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgドープGaN薄膜を,有機金属化学気相成長法によって成長さ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L139.
• 2) S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 1258.
• 3) J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Horning and B. Goldenberg: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 3662.
• 4) M. Johnson and D. P. Bour: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3470.
• 5) J. Neugebauer and C. G. Van de Walle: Phys. Rev. B 50 (1994) 8067.

タイトルに関連する用語 (7件)： O2 ,  雰囲気 ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  低温 ,  活性化