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J-GLOBAL ID：200902182310342648   整理番号：00A0001552

反応性マグネトロン共スパッタリングによって作成した非晶質SiC:H膜のインジウムドーピング

Indium doping of amorphous SiC:H films prepared by reactive magnetron co-sputtering.

著者 (4件)： SAITO N (Takamatsu National Coll. Technol., Takamatsu, JPN) ,  INUI Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  YAMAGUCHI T (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKAAKI I (Fuji Industrial Res. Inst. Shizuoka Prefecture, Fuji, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 353  号： 1/2  ページ： 189-193  発行年： 1999年09月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムをドープした水素化非晶質炭化けい素をメタン-アルゴ...

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,...

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分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性 ,  マグネトロン ,  共スパッタリング ,  インジウム ,  ドーピング