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J-GLOBAL ID：200902184079038631   整理番号：99A0050719

有機金属気相エピタクシーによって成長させた新しい半導体合金GaAs_1-xBi_x

New Semiconductor Alloy GaAs_1-xBi_x Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy.

著者 (2件)： OE K (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  OKAMOTO H (NTT Optoelectronics, Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 11A  ページ： L1283-L1285  発行年： 1998年11月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい半導体合金材料,GaAs_1-xB...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (7件)：

• 1) A. M. Jean-Louis, B. Ayrault and J. Varga: Phys. Status Solidi 34 (1969) 341.
• 2) K. Oe, S. Ando and K. Sugiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981) L303.
• 3) K. Y. Ma, Z. M. Fang, R. M. Cohen and G. B. Stringfellow: J. Appl. Phys. 68 (1990) 4586
• 4) K. Y. Ma, Z. M. Fang, R. M. Cohen and G. B. Stringfellow: J. Electron. Mater. 21 (1992) 143.
• 5) K. Oe and H. Asai: Symp. Record of Electronic Material Symp. '95, Izu-Nagaoka, 1995, p. 191.

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  合金