(411)A InGaAs混晶基板上にMBE成長したIn0.2Ga0.8As/In0.2Al0.8As量子井戸

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J-GLOBAL ID：200902184335056642 整理番号：99A1008956

(411)A InGaAs混晶基板上にMBE成長したIn_0.2Ga_0.8As/In_0.2Al_0.8As量子井戸

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資料名：
巻： 60th 号： 1 ページ： 250 発行年： 1999年09月01日
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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