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J-GLOBAL ID：200902184432190515   整理番号：03A0011661

対向ターゲットスパッタ及び浸漬誘導結合プラズマ源を用いたTiN膜作製のための反応性スパッタイオンめっきの研究

Studies of a Reactive Sputter Ion Plating for Preparation of TiN Films Using a Facing Target Sputter and Immersed Inductive Coupled Plasma Source.

著者 (4件)： SUNG Y-M (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  OTSUBO M (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  HONDA C (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  PARK C-H (Pusan National Univ., Pusan, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 11A  ページ： 6563-6569  発行年： 2002年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属や化合物の硬質被覆層を形成するために,対向ターゲットスパ...

シソーラス用語： *イオンめっき ,...
準シソーラス用語： スパッタイオンめっき

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分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

引用文献 (17件)：

• 1) S. M. Rossnagel, J. J. Cuomo and W. D. Westwood: Handbook of Plasma Processing Technology (Noyes, Park Ridge. NJ. 1990).
• 2) N. A. G. Ahmed: <I>Ion Plating Technology-Developments and Applications</I> (John Willy & Sons, Chichester, 1987).
• 3) J. Hopwood: Plasma Source Sci. Technol. 1 (1992) 109.
• 4) Y. M. Sung, K. Uchino, K. Muraoka and T. Sakoda: J. Vac. Sci. Technol. A 18 (2000) 2149.
• 5) Y. Okraku-Yirenkyi, Y. M. Sung, M. Otsubo, C. Honda and T. Sakoda: J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2001) 2590.

タイトルに関連する用語 (9件)： ターゲット ,  スパッタ ,  浸漬 ,  誘導結合プラズマ ,  TiN膜 ,  作製 ,  反応性スパッタ ,  イオンめっき ,  研究