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J-GLOBAL ID：200902185129060087   整理番号：02A0278791

SiC上酸化膜の屈折率の深さプロフィルの分光偏光解析法による測定

Measurements of the Depth Profile of the Refractive Indices in Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry.

著者 (9件)： IIDA T (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  TOMIOKA Y (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIMOTO K (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  MIDORIKAWA M (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  TUKADA H (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIKAWA M (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  ITOH H (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  ISHIDA Y (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA S (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 2A  ページ： 800-804  発行年： 2002年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記酸化膜の屈折率の深さプロフィルを分光偏光解析法により測定...

シソーラス用語： *偏光解析法 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  屈折及び反射の測定と装置  (BD07060V) ,  偏光測定と偏光計  (BD07050K)

引用文献 (16件)：

• 1) S. Yoshida: Electric Refractory Materials, ed. Y. Kumashiro (Marcel Dekker, New York, 2000) p. 437.
• 2) V. V. Afanas'ev, M. Bassler, G. Pensl and M. Schultz: Phys. Status Solidi A 162 (1997) 312.
• 3) L. A. Lipkin and J. W. Palmour: J. Electron. Mater. 25 (1996) 909.
• 4) D. Alok, P. K. McLarty and B. J. Baliga: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2845.
• 5) M. Yoshikawa, K. Saitoh, T. Ohshima, H. Itoh, I. Nashiyama, Y. Takahashi, K. Ohnishi, H. Okumura and S. Yoshida: Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 1017.

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  酸化膜 ,  屈折率 ,  深さプロフィル ,  分光偏光解析法