(411)A GaAs基板上にMBE成長したInGaAs/AlGaAs歪量子井戸 (3)

文献

J-GLOBAL ID：200902185237403861 整理番号：96A0904805

MBE Growth of Strained InGaAs/AlGaAs Quantum Wells on (411)A GaAs Substrates. (3).

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資料名：
巻： 57th 号： 3 ページ： 1095 発行年： 1996年09月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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