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J-GLOBAL ID：200902187933242832   整理番号：98A0481644

(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子井戸構造のヘテロ界面平坦性の回復

Recovery of the heterointerface flatness of GaAs/Al0.3Ga0.7As QW grown on (411)A GaAs substrates by MBE.

著者 (8件)： 林英樹 (大阪大 基礎工) ,  篠原啓介 (大阪大 基礎工) ,  清水靖之 (大阪大 基礎工) ,  上野正人 (大阪大 基礎工) ,  青木豊広 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  岡本恭典 (クボタ) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 1  ページ： 380  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  量子井戸 ,  ヘテロ界面 ,  平坦性 ,  回復