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J-GLOBAL ID：200902188849074629   整理番号：03A0084019

300mmの絶縁体上のけい素ウエハに適用できる光ルミネセンスマッピング系

Photoluminescence Mapping System Applicable to 300mm Silicon-on-Insulator Wafers.

著者 (3件)： TAJIMA M (Inst. Space and Astronautical Sci., Sagamihara, JPN) ,  LI Z (Inst. Space and Astronautical Sci., Sagamihara, JPN) ,  SHIMIDZU R (Photon Design Co., Ltd., JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 12B  ページ： L1505-L1507  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上のけい素(SOI)ウエハ上の光ルミネセンス(PL)マ...

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (11件)：

• 1) J.-P. Colinge: Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer Academic Publishers, Boston, 1997) 2nd. ed.
• 2) SiPHER is a registered trademark of Accent Semiconductor Technologies.
• 3) V. Higgs, F. Chin, X. Wang, Y. Kitagawara and Y. Yoshida: Semiconductor Silicon 1998, eds. H. R. Huff, U. Gösele and H. Tsuya (Electrochem. Soc., Pennington, 1998) PV 98-1, p. 1564.
• 4) M. Tajima and S. Ibuka: Semiconductor Silicon 2002, eds. H. R. Huff, L. Fabry and S. Kishino (Electrochem. Soc., Pennington, 2002) Vol. 2, p. 815.
• 5) M. Tajima, T. Masui and T. Abe: Semiconductor Silicon 1990, eds. H. R. Huff, K. G. Barraclough and J. Chikawa (Electrochem. Soc., Pennington, 1990) p. 994.

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁体 ,  けい素ウエハ ,  光ルミネセンス ,  マッピング