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J-GLOBAL ID：200902189871746530   整理番号：00A0520677

シリコンと化合物半導体超小型電界効果トランジスタの開発

Development of Si and compound semiconductor ultra-small FETs.

著者 (9件)： OGURA M (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  SUZUKI E (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  TSUTSUMI T (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  KIM S J (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  ISHII K (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  MAEDA T (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  SUGAYA T (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  KAMEMARU S (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  SUGIYAMA Y (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN)
資料名： 新機能素子シンポジウム予稿集  (新機能素子技術シンポジウム予稿集)
巻： 18th  ページ： 27-32  発行年： 1999年10月 
JST資料番号： L0184A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  化合物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  開発