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J-GLOBAL ID：200902192788361945   整理番号：96A0904379

GaInNAs/GaAs系1.3μm帯面発光レーザの基礎設計

Design of GaInNAs/GaAs 1.3.MU.m Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers.

著者 (5件)： 竹内寛爾 (東京工大) ,  宮本智之 (東京工大) ,  高田剛 (東京工大) ,  小山二三夫 (東京工大) ,  伊賀健一 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 3  ページ： 927  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaInNAs ,  GaAs ,  面発光レーザ ,  基礎設計