文献

J-GLOBAL ID：200902193678204107   整理番号：00A0692978

化学増幅を用いた表面シリル化単一層レジスト 多層レジスト系用のより単純な新しい選択肢

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification: A New Simpler Alternative for Multilayer Resist System.

著者 (7件)： SUGITA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  IKAGAWA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MING L C (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YAMASHITA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARADA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUSHIDA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SAITO K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 13  号： 4  ページ： 535-538  発行年： 2000年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先に提案した‘表面シリル化単一層レジスト’において,露光前シ...

シソーラス用語： 単一層 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0692978&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0202A") }}

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子と低分子との反応  (CG03020L)

物質索引 (2件)： ヘキサメチルジシラザン ,  ヘキサメチルシクロトリシロキサン

引用文献 (4件)：

• 1) K. Sugita, M. Ikagawa, K. Harada, M. Kushida and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 669.
• 2) E. Reichmanis, F. M. Houlihan, O. Nalamasu and T. X. Neeman, "Polymers for Microelectronics" (ACS Symp. Ser. 537, eds. L.F.Thompson, C.G.Willson and S.Tagawa), Am. Chem. Soc., Washington, D.C. (1994) p.2.
• 3) K. Sugita, N. Ueno, M. Kushida, K. Mizuno and H. Mitsui, J. Electrochem. Soc., 139 (1992) 802.
• 4) T. Matsuo and M. Endo: J. Photopolym. Sci. Technol., 9 (1996) 523.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学 ,  増幅 ,  シリル化 ,  単一層 ,  レジスト ,  多層レジスト ,  選択肢