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J-GLOBAL ID:200902194387394568   整理番号:01A0690717

分子ビームエピタクシーによって(775)B方位GaAs基板上に成長させた自己組織化In0.15Ga0.85As量子細線の積層効果

Stacking effect of self-organized In0.15Ga0.85As quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
資料名:
巻: 227/228  ページ: 970-974  発行年: 2001年07月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  半導体のルミネセンス  ,  半導体薄膜 

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