分子ビームエピタクシーによって(775)B方位GaAs基板上に成長させた自己組織化In<sub>0.15</sub>Ga<sub>0.85</sub>As量子細線の積層効果

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J-GLOBAL ID：200902194387394568 整理番号：01A0690717

分子ビームエピタクシーによって(775)B方位GaAs基板上に成長させた自己組織化In_0.15Ga_0.85As量子細線の積層効果

Stacking effect of self-organized In_0.15Ga_0.85As quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 227/228 ページ： 970-974 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

分子ビームエピタクシーによって(775)B方位GaAs基板上...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体のルミネセンス , 半導体薄膜

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