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J-GLOBAL ID：200902194408346240   整理番号：99A0326756

InAs/GaAs自己形成量子ドットによる1.3μm室温発光

1.3 μm Room Temperature Emission from InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots.

著者 (7件)： MURRAY R (Imperial Coll., London, GBR) ,  CHILDS D (Imperial Coll., London, GBR) ,  MALIK S (Imperial Coll., London, GBR) ,  SIVERNS P (Imperial Coll., London, GBR) ,  ROBERTS C (Imperial Coll., London, GBR) ,  HARTMANN J-M (Imperial Coll., London, GBR) ,  STAVRINOU P (Imperial Coll., London, GBR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 1B  ページ： 528-530  発行年： 1999年01月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体原料分子ビームエピタクシーにより作製した自己形成InAs...

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (13件)：

• (1) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939.
• (2) H. Ishikawa, H. Shoji, Y. Nakata, K. Mukai, M. Sugawara, M. Egawa, N. Ohtsuka, Y. Sugiyama, T. Futatsugi and N. Yokoyama: J. Vac. Sci. Technol. A16 (1998) 794.
• (3) F. Heinrichsdorff, M-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A. Kosogov and P. Werner: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3284.
• (4) R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard and J.E. Bowers: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3795.
• (5) D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Den Baars and P.M. Petroff: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3203.

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaAs ,  自己形成 ,  量子ドット ,  室温