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J-GLOBAL ID：200902194484938726   整理番号：98A0045393

中間層の導入によるGaInNAs/GaAs量子井戸の長波長化

Long Wavelength GaInNAs/GaAs Quantum Well Structure by Insertion of Intermediate Layer.

著者 (5件)： 宮本智之 (東京工大 精密工研) ,  竹内寛爾 (東京工大 精密工研) ,  影山健生 (東京工大 精密工研) ,  小山二三夫 (東京工大 精密工研) ,  伊賀健一 (東京工大 精密工研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 3  ページ： 1075  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中間層 ,  GaInNAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  長波