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J-GLOBAL ID：200902195362952074   整理番号：99A0245545

大フィールド描画電子ビームリソグラフィーにおけるパターン修正ステンシルマスクによる近接効果補正

Proximity Effect Correction by Pattern Modified Stencil Mask in Large-Field Projection Electron Beam Lithography.

著者 (5件)： KOBINATA H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMASHITA H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  NOMURA E (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NAKAJIMA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUROKI Y (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 12B  ページ： 6767-6773  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステンシルマスクが使用される場合におけるSCALPEL(Sc...

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• 1) H. C. Pheiffer: IEEE Trans. Electron Devices 26 (1979) 663.
• 2) Y. Nakayama, S. Okazaki, N. Saitou and H. Wakabayashi: J. Vac. Sci. Technol. B8 (1990) 1836
• 3) H. Yasuda, K. Sakamoto, A. Yamada and K. Kawashima: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 3098.
• 4) Y. Sakitani, H. Yoda, H. Todokoro, Y. Shibata, T. Yamazaki, K. Ohbitu, N. Saitou, S. Moriyama, S. Okazaki, G. Matsuoka, F. Murai and M. Okumura: J. Vac. Sci. Technol. B10 (1992) 2759
• 5) K. Hattori, R. Yoshikawa, H. Wada, H. Kasukabe, T. Yamaguchi, S. Magoshi, A. Miyagaki, S. Yamasaki, T. Takigawa, M. Kanoh, S. Nishimura, H. Housai and S. Hashimoto: J. Vac. Sci. Technol. B11 (1993) 2346

タイトルに関連する用語 (5件)： フィールド ,  描画 ,  電子ビームリソグラフィー ,  ステンシルマスク ,  近接効果補正