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J-GLOBAL ID：200902197137427052   整理番号：98A0419912

高温成長GaNへの低温堆積バッファ層挿入によるサファイア上有機金属気相エピタクシー成長GaNにおけるエッチピット密度の減少

Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN.

著者 (6件)： IWAYA M (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  WETZEL C (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 3B  ページ： L316-L318  発行年： 1998年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に低温(400°C)で第一のバッファ層を堆積さ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (27件)：

• 1) R. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheny and R. B. Zetterstrom: Appl. Phys. Lett. 19 (1971) 5.
• 2) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353
• 3) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 4) K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, N. Kuwano, T. Shiraishi and K. Oki: J. Cryst. Growth 115 (1991) 628.
• 5) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: J. Appl. Phys. 71 (1992) 5543

タイトルに関連する用語 (9件)： 成長 ,  GaN ,  低温 ,  堆積 ,  バッファ層 ,  サファイア ,  有機金属気相エピタクシー ,  エッチピット ,  密度の減少