ドープしたSiCのRaman散乱のFano干渉効果

文献

J-GLOBAL ID：200902197151226558 整理番号：96A0656284

Fano-interference effect of Raman scattering in doped SiC.

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号： 142 ページ： 365-368 発行年： 1996年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

強くドープしたn型4H-及び6H-SiC結晶の低周波数の光学...

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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル

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