文献

J-GLOBAL ID：200902199227330328   整理番号：02A0521535

アンドープおよびN-ドープの水素化非晶質シリコンにおける電子スピン共鳴および一定光電流法によって評価した欠陥密度の比較研究

Comparative Study of Defect Densities Evaluated by Electron Spin Resonance and Constant Photocurrent Method in Undoped and N-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon.

著者 (3件)： SHIMIZU T (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SHIMADA M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KUMEDA M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 5A  ページ： 2829-2833  発行年： 2002年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a-Si:H)薄膜に関する欠陥密度の評...

シソーラス用語： *欠陥密度 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0521535&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (15件)：

• 1) R. A. Street: Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1991).
• 2) M. Kumeda, J. H. Zhou and T. Shimizu: 1994 IEEE First World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (IEEE, 1994) p. 634.
• 3) N. Hata, I. S. Osbourne, T. Ikeda, R. Durny and A. Matsuda: J. Non-Cryst. Solids 198-200 (1996) 415.
• 4) T. Shimizu, M. Shimada, H. Sugiyama and M. Kumeda: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 54.
• 5) T. Shimizu, H. Kidoh, A. Morimoto and M. Kumeda: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 586.

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  電子スピン共鳴 ,  光電流 ,  評価 ,  欠陥密度 ,  研究