文献
J-GLOBAL ID：200902199440557239
整理番号：97A0501309
水素を含まない二酸化けい素膜の化学蒸着
Chemical Vapor Deposition of Hydrogen-Free Silicon-Dioxide Films.
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
36
号：
3B
ページ：
1509-1512
発行年：
1997年03月
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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テトラシアナートシランSi(NCO)
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分類 (1件)：
分類
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酸化物薄膜
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