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J-GLOBAL ID：200902200952233930   整理番号：08A1148860

ステップバンチ微傾斜Si(111)基板へのポリチオフェン分子配列のナノ移動

Nanotransfer of the Polythiophene Molecular Alignment onto the Step-Bunched Vicinal Si(111) Substrate

著者 (6件)： ONOKI Ryo (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIKAWA Genki (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSURUMA Yuki (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  IKEDA Susumu (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SAIKI Koichiro (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  UENO Keiji (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 24  号： 20  ページ： 11605-11610  発行年： 2008年10月21日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面内の異方性分子配列を有するポリ(3-ドデシルチオフェン-2,5-ジイル)膜を,そのLangmuir-Blodgett膜をステップバンチSi(111)基板に移動させることにより作成した。長いステップバンチ構造を谷障壁に平行に配置すると,ポリチオフェン主鎖は自己集合周期ファセット/テラス構造の方向に優先配向するが,平らなSi基板上または障壁に垂直に配置したステップバンチ基板上では平面内でほぼランダムになることを,NEXAFS測定で明らかにした。ステップバンチ基板を用いたナノ移動法により,LB膜のさらなる応用が期待される。

シソーラス用語： 表面ステップ ,  微斜面 ,  *ケイ素 ,  結晶面 ,  *重合体 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  ナノテクノロジー ,  移動 ,  自己集合 ,  ファセット ,  表面テラス ,  優先配向 ,  XANES ,  *硫黄複素環化合物 ,  ポリチオフェン類
準シソーラス用語： NEXAFS ,  微傾斜面

分類 (3件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ポリチオフェン ,  分子配列