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J-GLOBAL ID：200902201269718070   整理番号：03A0656781

多層蒸着とアニーリングプロセスを通したMOSCAPおよびnMOSFET用高品質HfAlOx 薄膜形成設計と実証

Design and Proof of High Quality HfAlOX Film Formation for MOSCAPs and nMOSFETs through Layer-by-Layer Deposition and Annealing Process
著者 (9件)：
NABATAME T

NABATAME T について

(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)

AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN について

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IWAMOTO K

IWAMOTO K について

(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)

AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN について

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OTA H

OTA H について

(AIST Tsukuba, JPN)

AIST Tsukuba, JPN について

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TOMINAGA K

TOMINAGA K について

(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)

AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN について

, 
YAMAMOTO K

YAMAMOTO K について

(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)

AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN について

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MIZUBAYASHI W

MIZUBAYASHI W について

(AIST Tsukuba, JPN)

AIST Tsukuba, JPN について

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MORITA Y

MORITA Y について

(AIST Tsukuba, JPN)

AIST Tsukuba, JPN について

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HORIKAWA T

HORIKAWA T について

(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)

AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN について

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TORIUMI A

TORIUMI A について

(AIST Tsukuba, JPN)

AIST Tsukuba, JPN について


資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology について


巻： 2003  ページ： 25-26  発行年： 2003年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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熱安定性の改善とほう素浸透抑圧に関する研究では,HfON,H...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOS構造

MOS構造 について

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MOSキャパシタ

MOSキャパシタ について

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分類 (3件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  絶縁材料 
(NA04030W)

絶縁材料 について

,  酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

タイトルに関連する用語 (9件)：
タイトルに関連する用語
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多層

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蒸着

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アニーリング

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プロセス

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nMOSFET

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高品質

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薄膜形成

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設計

設計 について

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実証

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