文献

J-GLOBAL ID：200902201439381946   整理番号：05A0437371

「ゲート絶縁膜/Si界面の評価」SiO₂中の拡散に与えるSi/SiO₂界面の影響

Effect of the Si/SiO₂ Interface on Diffusion in SiO₂

著者 (7件)： 深津茂人 (慶応大 理工) ,  伊藤公平 (慶応大 理工) ,  植松真司 (NTT 物性科学基礎研) ,  藤原聡 (NTT 物性科学基礎研) ,  影島博之 (NTT 物性科学基礎研) ,  高橋庸夫 (NTT 物性科学基礎研) ,  白石賢二 (筑波大 物理学系)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 26  号： 5  ページ： 249-254  発行年： 2005年05月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ³⁰Siを注入した<sup>28</s...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

引用文献 (14件)：

• 1) H. Kageshima and K. Shiraishi: Phys. Rev. Lett. 81, 5936 (1998).
• 2) G. Brebec, R. Seguin, C. Sella, J. Bevenot and J.C. Martin: Acta Metall. 28, 327 (1980).
• 3) G.K. Celler and L.E. Trimble: Appl. Phys. Lett. 54, 1427 (1989).
• 4) D. Tsoukalas, C. Tsamis and J. Stoemenos: Appl. Phys. Lett. 63, 3167 (1993).
• 5) O. Jaoul, F. Bejina, F. Elie and F. Abel: Phys. Rev. Lett. 74, 2038 (1995).

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート絶縁膜 ,  Si ,  界面 ,  評価 ,  SiO2 ,  拡散