強い粒界ピン止めに起因する非常に高い臨界電流密度を持つMgB<sub>2</sub>薄膜

KITAGUCHI H; MATSUMOTO A; KUMAKURA H; DOI T; YAMAMOTO H; SAITOH K; SOSIATI H; HATA S

文献

J-GLOBAL ID：200902201519705300 整理番号：04A0788082

強い粒界ピン止めに起因する非常に高い臨界電流密度を持つMgB₂薄膜

MgB₂ films with very high critical current densities due to strong grain boundary pinning

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資料名：
巻： 85 号： 14 ページ： 2842-2844 発行年： 2004年10月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題超伝導体薄膜について,広範囲の磁場で臨界電流密度J<su...

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金属系超伝導体の物性

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強い粒界ピン止めに起因する非常に高い臨界電流密度を持つMgB2薄膜

強い粒界ピン止めに起因する非常に高い臨界電流密度を持つMgB₂薄膜