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J-GLOBAL ID：200902201745475261   整理番号：04A0890537

Cu注入シリコン結晶における1.014eV光ルミネセンスCu中心の形成及び中心のモデル

Formation of the 1.014 eV Photoluminescence Cu Center in Cu-implanted Silicon Crystals and the Center’s Model

著者 (3件)： NAKAMURA M ,  OHNO H (Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI S (Hitachi Ltd., Hitachi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 11B  ページ： L1466-L1468  発行年： 2004年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少量のCuを注入したSi結晶に関して,アニーリング温度による...

シソーラス用語： *銅 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (23件)：

• 1) M. Datta: IBM J. Res. Develop. 42 (1998) 563.
• 2) Y. H. Lin, Y. H. Wu, A. Chin and F. M. Pan: J. Electrochem. Soc. 147 (2000) 4305.
• 3) A. A. Istratov and E. R. Weber: J. Electrochem. Soc. 149 (2002) G21.
• 4) N. S. Minaev, A. V. Mudryi and V. D. Tkachev: Sov. Phys. Semicond. 13 (1979) 233.
• 5) J. Weber, H. Bauch and R. Sauer: Phys. Rev. B 25 (1982) 7688.

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  注入 ,  シリコン結晶 ,  光ルミネセンス ,  モデル