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J-GLOBAL ID：200902201934542921   整理番号：08A0942574

AlON/SiO₂積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISデバイスの高温特性

著者 (9件)： 細井卓治 (大阪大 大学院) ,  景井悠介 (大阪大 大学院) ,  原田真 (大阪大 大学院) ,  渡邊優 (大阪大 大学院) ,  箕谷周平 (ローム) ,  中野佑紀 (ローム) ,  中村孝 (ローム) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 357  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *MIS構造 ,  アルミニウム化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  二酸化ケイ素 ,  *多層膜 ,  絶縁膜 ,  高温 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  半導体素子 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  電力デバイス

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  ゲート絶縁膜 ,  4H-SiC ,  MISデバイス ,  高温特性