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J-GLOBAL ID：200902204216533069   整理番号：07A0255489

自由ホイーリングダイオードにおける伝導率変調遅延時における電圧サージに対する自己絶縁高電圧集積回路の耐性

Robustness of Self-Isolation High-Voltage Integrated Circuits against the Voltage Surge during Conductivity Modulation Delay in Free-Wheeling Diode

著者 (6件)： YAMAZAKI Tomoyuki (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  YAMAZAKI Tomoyuki (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  KUMAGAI Naoki (Fuji Electric Advanced Technol., Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  NISHIURA Akira (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  FUJIHIRA Tatsuhiko (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  MATSUMOTO Takashi (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 2  ページ： 569-571  発行年： 2007年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自由ホイーリングダイオードにおける伝導率変調遅延時における電...

シソーラス用語： ダイオード ,...
準シソーラス用語： ホイーリングダイオード ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• N. Sakurai, M. Mori, and T. Yatsuo: Proc.2nd Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, Tokyo, 1990, p. 66.
• A. Nakagawa, H. Funaki, Y. Yamaguchi, and F. Suzuki: Proc. list Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, Toronto, 1999, p. 321.
• H. Akiyama, N. Yasuda, J. Moritani, K. Takanashi, and G. Majumdar: 16th Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, Kitakyushu, 2004, p. 375.
• T. Terashima, M. Yoshizawa, M. Fukunaga, and G. Majumdar: Proc.5th Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, Monterey, 1993, p. 224.
• J. S. Ajit, D. Kinzer, and N. Ranjan: Proc.5th Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s, Monterey, 1993, p. 230.

タイトルに関連する用語 (8件)： 伝導率 ,  変調 ,  遅延 ,  自己 ,  絶縁 ,  高電圧 ,  集積回路 ,  耐性