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J-GLOBAL ID：200902205789690602   整理番号：08A0420220

230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展

Development of 230-270 nm AlGaN-Based Deep UV LEDs

著者 (8件)： 平山秀樹 (理研) ,  平山秀樹 (JST-CREST) ,  谷田部透 (理研) ,  谷田部透 (埼玉大 工) ,  野口憲道 (理研) ,  野口憲道 (埼玉大 工) ,  鎌田憲彦 (埼玉大 工) ,  鎌田憲彦 (JST-CREST)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 128  号： 5  ページ： 748-756  発行年： 2008年05月01日 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN系紫外LEDの現状と課題について概説したあと,筆者らが最近研究を行っているAlN結晶の高品質化とそれを用いた230~270nm帯紫外LEDの実現について紹介した。サファイア基板上に高品質AlNテンプレートを作製する方法,ならびに,それを用いて作製した波長227.5~273nm AlGaN LEDについて紹介した。サファイア上LEDの最短波長227.5nmにおいて,0.15mWの出力を観測した。また,殺菌に最も有効な250~270nm帯において室温CWミリワット出力動作を達成した。

シソーラス用語： *紫外線 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *発光ダイオード ,  窒化アルミニウム ,  *多重量子井戸 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  結晶格子 ,  格子定数 ,  バンドギャップ ,  *量子効率 ,  深紫外線

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (20件)：

• (1) H. Hirayama : “High-Efficiency Ultraviolet Light-Emitting Diodes using quaternary InAlGaN”, J. Appl. Phys., Vol. 97, pp. 091101 1-19 (2005)
• (2) H. Hirayama, A. Kinoshita, and Y. Aoyagi : “Development of 300 nm Band High-Intensity Ultraviolet (UV) LEDs using Quaternary InAlGaN”, Oyobuturi, Vol. 71, No. 2, pp. 204-208 (2002) (in Japanese)
• 平山秀樹・木下敦寛・青柳克信:「InAlGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外発光素子の開発」,応用物理, 71, 2, pp. 204-208 (2002)
• (3) H. Hirayama : “UV Intense Emission from Nitride Semiconductors and its Application to 300-nm-band Emitting Devices”, Optronics, Vol. 19, No. 10, pp. 145-151 (2000) (in Japanese)
• 平山秀樹:「特集 ‘注目の光材料と素子への応用’, 窒化物半導体からの紫外高輝度発光と300nm帯発光素子への応用」,オプトロニクス, 19, 10, 通巻226号, pp. 145-151 (2000)

タイトルに関連する用語 (4件)： 深紫外 ,  AlGaN ,  LED ,  進展