文献

J-GLOBAL ID：200902205884663620   整理番号：09A0830433

HfO₂薄膜の誘電特性に及ぼす面内歪効果

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO₂ thin film

著者 (3件)： WAKUI Sadakazu (Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...) ,  NAKAMURA Jun (Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...) ,  NATORI Akiko (Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 27  号： 4  ページ： 2020  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部電場における第一原理基底状態計算を用いて,立方晶HfO₂薄膜の誘電特性を研究した。立方晶(c-)及び歪c-HfO₂(001)膜に関する光学的及び静的誘電率を評価した。表面の水素終端は表面近くの誘電率を抑制した。膜内部の局所誘電率の空間的変化は非常に小さかった。静的誘電率は,横格子定数の増大とともに大きくなり,立方晶対称性の制約が緩和して,単位セルにおける二つの酸素原子が非等価となるとき,小さくなった。これらの結果は,誘電率における変化を,膜における正方晶性の増大に帰着できることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  *誘電率 ,  *空間分布 ,  格子定数 ,  対称性 ,  正方晶系 ,  立方晶系 ,  基底状態 ,  *格子歪 ,  誘電分極 ,  光学定数
準シソーラス用語： 外部電場 ,  水素終端 ,  静的誘電率 ,  *第一原理計算

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  薄膜 ,  誘電特性 ,  面内歪