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J-GLOBAL ID：200902206039750340   整理番号：09A0458447

電流誘起磁化スイッチングアーキテクチャを有する磁気トンネル接合を用いた不揮発性静的ランダムアクセスメモリ

Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture

著者 (4件)： YAMAMOTO Shuu’ichirou (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMAMOTO Shuu’ichirou (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SUGAHARA Satoshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGAHARA Satoshi (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 1  ページ： 043001.1-043001.7  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁場フリー電流誘起磁化スイッチング(CIMS)アーキテクチャを有する磁気トンネル接合(MTJ)を用いた,不揮発性ランダムアクセスメモリ(NV-SRAM)セルを提案し,計算により解析した。CIMSアーキテクチャを有する標準SRAMセルの記録ノードに結合したMTJ対は,不揮発性論理情報に関する完全に電気的な記録及び再生動作を可能にした。広範囲のトンネル磁気抵抗(TMR)比及びV_half(TMR比が元の値の半分に低下したときのバイアス電圧)値は,提案したNV-SRAMセルの動作に関して許容しうるものであった。それぞれ100%及び100mVのような,妥当なTMR及びV_half値を用いて,動作を容易に実現することに成功した。提案NV-SRAMは,極めて低い電力消費の次世代電力ゲーティング論理システムの中心コンポーネントとして期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SRAM ,  *不揮発性メモリ ,  *トンネル接合 ,  *磁化 ,  *スイッチング ,  *記録再生 ,  数値解析
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合

分類 (4件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  磁性一般  (BM06010M)

引用文献 (38件)：

• S. Mutoh, T. Douseki, Y. Matsuya, T. Aoki, S. Sigematsu, and J. Yamada: IEEE J. Solid-State Circuits 30(1995)847.
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• Y. Kanno, H. Mizuno, Y. Yasu, K. Hirose, Y. Shimazaki, T. Hoshi, Y. Miyairi, T. Ishii, T. Yamada, T. Irita, T. Hattori, K. Yanagisawa, and N. Irie: IEEE J. Solid-State Circuits 42(2007)74.
• S. Rusu, S. Tam, H. Muljono, D. Ayers, J. Chang, B. Cherkaucr, J. Stinson, J. Benoit, R. Varada, J. Leung, R. D. Limaye, and S. Vora: IEEE J. Solid-State Circuits 42(2007)17.

タイトルに関連する用語 (6件)： 電流誘起 ,  磁化スイッチング ,  アーキテクチャ ,  磁気トンネル接合 ,  不揮発性 ,  ランダムアクセスメモリ