結晶方位に依存する湿式エッチングによって作製した(111)チャネル表面を持つ多重フィン型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの有効キャリア移動度の実験的研究

LIU Yongxun; SUGIMATA Etsuro; ISHII Kenichi; MASAHARA Meishoku; ENDO Kazuhiko; MATSUKAWA Takashi; YAMAUCHI Hiromi; O’UCHI Shinichi; SUZUKI Eiichi

文献

J-GLOBAL ID：200902206143481009 整理番号：06A0421108

結晶方位に依存する湿式エッチングによって作製した(111)チャネル表面を持つ多重フィン型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの有効キャリア移動度の実験的研究

Experimental Study of Effective Carrier Mobility of Multi-Fin-Type Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with (111) Channel Surface Fabricated by Orientation-Dependent Wet Etching

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資料名：
巻： 45 号： 4B ページ： 3084-3087 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

引用文献 (35件)：

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X. Huang, W. C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, Y. K. Choi, K. Asano, V. Subramanian, T. J. King, J. Bokor and C. Hu: IEDM Tech. Dig., 1999, P. 67.
Y. K. Choi, N. Lindert, P. Xuan, S. Tang, D. Ha, E. Anderson, T. J. King. J. Bokor and C. Hu: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 421.

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