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J-GLOBAL ID：200902206276798013   整理番号：06A1021507

メタル電極とHfSiON絶縁膜界面反応の評価

著者 (10件)： 喜多祐起 (大阪大 大学院工学研究科) ,  吉田慎一 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡辺康匡 (大阪大 大学院工学研究科) ,  志村考功 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡部平司 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2006  ページ： 97-98  発行年： 2006年08月04日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： メタル電極・高誘電率(metal/high-k)ゲートスタッ...

シソーラス用語： 界面 ,...
準シソーラス用語： モス電界効果トランジスタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： メタル電極 ,  HfSiON ,  絶縁膜 ,  界面反応 ,  評価