集積水素センサーの温度制御ならびにパッケージ最適化

TSUBOTA Kousuke; KIWA Toshihiko; YAMADA Hironobu; YAMAGUCHI Tomiharu; KONDO Yohei; IMAJO Hirofumi; HONDO Tsutomu; MAEHARA Tunetoshi; YAMAMOTO Tadayoshi; TSUKADA Keiji

文献

J-GLOBAL ID：200902206897936622 整理番号：09A0926290

集積水素センサーの温度制御ならびにパッケージ最適化

Temperature Control and Packaging Optimization of the Integrated Hydrogen Sensor

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資料名：
巻： 129 号： 9 ページ： 278-282 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： L3098A ISSN： 1341-8939 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

温度制御のためのヒーターと組み合わせた集積センサチップと,温度監視のためのダイオードを制作し,その特性を評価した。さらに,ガス透過膜をもつ新しいパッケージ構造と,熱効率を向上させるためにガラスに取り付けたセンサチップを開発した。このパッケージ構造の使用により,センサチップにとって,最適な動作条件と,センサチップの保護とを実現することができた。ダイオードの特性は,センサ温度を検証するのに十分であった。電力消費量あたりの熱効率値に関して,著者らは,ガラスタイプのものと比べて,その値を約15%改善することに成功した。さらに,ヒーターのセンサ温度と電力消費量の時間応答曲線を測定した。ヒーターとダイオードによるこの熱制御システムは,所望の温度を維持するのに首尾よく利用された。熱効率は,ガラスを取り付けることによって向上した,そして,このシステムはPPG-FETタイプ水素センサーに役立つことが明らかになった。(翻訳著者抄録)

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分析機器 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (9件)：

YOKOSAWA, K. FET hydrogen-gas sensor with direct heating of catalytic metal. Sens. Actuators B. 2008, 130, 94-99
WANG, X. H. Hydrogen sensors base on AlGaN/AlN/GaN HEMT. Microelectronics Journal. 2008, 39, 20-23
MIURA, N. Sensing characteristics of ISFET-based hydrogen sensor using proton-conductive thick film. Sens. Actuators B. 2005, 24-25, 499-503
TSUKADA, K. A Proton Pumping Gate Field-Effect Transistor for a Hydrogen Gas Sensor. IEEE sensor journal. 2007, 7, 1268-1269
YAMAGUCHI, T. Analysis of response mechanism of a proton-pumping gate FET hydrogen gas sensor in air. Sens. Actuators B. 2008, 133, 538-542

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