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J-GLOBAL ID：200902208082962591   整理番号：04A0190048

物理的蒸気輸送によって成長したn型ZnSe中の化学エッチング誘起欠陥

Chemical etching-induced defects in n-type ZnSe crystal grown by physical vapor transport

著者 (6件)： YONETA M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  KATO H (Stanley Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  YOSHINO K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  OHISHI M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  SAITO H (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  OHMORI K (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN)
資料名： Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002)
ページ： 635-639  発行年： 2003年 
JST資料番号： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学エッチングによってn型ZnSe単結晶の表面領域に2種類の...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： 化学エッチング

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (1件)： メタノール

タイトルに関連する用語 (8件)： 物理 ,  蒸気 ,  輸送 ,  成長 ,  ZnSe ,  化学エッチング ,  誘起 ,  欠陥