文献

J-GLOBAL ID：200902208142850925   整理番号：04A0890521

p型ポリシリコンゲートをもつHfベースの高kMISFETにおける酸素空格子点誘導の実効しきい値電圧シフト-理論的手法

Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-K MISFET with p+poly-Si Gates -A Theoretical Approach

著者 (9件)： SHIRAISHI K (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  YAMADA K (National Inst. for Material Sci., Tsukuba, JPN) ,  TORII K (Semiconductor Leading Edge Technologies Inc., Tsukuba, JPN) ,  AKASAKA Y (Semiconductor Leading Edge Technologies Inc., Tsukuba, JPN) ,  NAKAJIMA K (National Inst. for Material Sci., Tsukuba, JPN) ,  KONNO M (Hitachi Sci. Systems, Ltd., Hitachi-Naka, JPN) ,  CHIKYOW T (National Inst. for Material Sci., Tsukuba, JPN) ,  KITAJIMA H (Semiconductor Leading Edge Technologies Inc., Tsukuba, JPN) ,  ARIKADO T (Semiconductor Leading Edge Technologies Inc., Tsukuba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 11A  ページ： L1413-L1415  発行年： 2004年11月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型ポリシリコンゲートHfベースの金属絶縁体半導体電界効果ト...

シソーラス用語： 多結晶 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0890521&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (16件)：

• 1) G. D. Wilk and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2854.
• 2) K. Yamada: Ext. Abstr. 1986 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1986, p. 257.
• 3) C. Hobbs et al.: Tech. Dig. 2003 Symp. VLSI Technology, Kyoto, 2003, p. 9.
• 4) M. Koyama, A. Kaneko, T. Ino, M. Koike, Y. Kamata, R. Iijima, Y. Kamimuta, A. Takashima, M. Suzuki, C. Hongo, S. Inumiya, M. Takayanagi and A. Nishiyama: Tech. Dig. 2002 IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, 2002, p. 849.
• 5) M. Takayanagi, T. Watanabe, R. Iijima, A. Kaneko, S. Inumiya, I. Hirano, K. Sekine, A. Nishiyama, K. Eguchi and Y. Tsunashima: Ext. Abstr. Int. Workshop Gate Insulator, Tokyo, 2003, p. 174.

タイトルに関連する用語 (8件)： ポリシリコン ,  ゲート ,  HF ,  酸素空格子点 ,  誘導 ,  しきい値電圧シフト ,  理論 ,  手法