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J-GLOBAL ID：200902208671600187   整理番号：03A0534098

ドライエッチングおよび再成長法によるGaInAsP/InP多重量子細線レーザの室温連続動作

Room Temperature-Continuous Wave Operation of GaInAsP/InP Multiple-Quantum-Wire Lasers by Dry Etching and Regrowth Method

著者 (6件)： YAGI H (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SANO T (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OHIRA K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA T (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HAQUE A (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI S (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 7A  ページ： L748-L750  発行年： 2003年07月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィー,CH₄/H<...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： MQWレーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (12件)：

• 1) N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 3410.
• 2) N. Nunoya, H. Yasumoto, H. Midorikawa, S. Tamura and S. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1042.
• 3) H. Yagi, K. Muranushi, N. Nunoya, T. Sano, S. Tamura and S. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L186.
• 4) S. Ueno, Y. Miyake and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 286.
• 5) H. Midorikawa, N. Nunoya, K. Muranushi, S. Tamura and S. Arai: <I>Proc. 13th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials (IPRM’01), Nara, Japan, 2001</I> (IEEE, Piscataway, 2001) pp. 67–70.

タイトルに関連する用語 (8件)： ドライエッチング ,  再成長 ,  GaInAsP ,  InP ,  多重 ,  量子細線レーザ ,  室温 ,  連続動作