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J-GLOBAL ID：200902149824336496   整理番号：00A0651202

CH₄/H₂反応性イオンエッチングで作製したGaInAsP/InP多重層状量子細線レーザ

GaInAsP/InP Multiple-Layered Quantum-Wire Lasers Fabricated by CH₄/H₂ Reactive-Ion Etching.

著者 (5件)： NUNOYA N (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YASUMOTO H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAMURA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 6A  ページ： 3410-3415  発行年： 2000年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のイオンエッチング,その後の湿式化学エッチングや有機金属...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： MQWレーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (20件)：

• 1) M. Asada, Y. Miyamoto and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. 22 (1986) 1915.
• 2) Y. Arakawa and A. Yariv: IEEE J. Quantum Electron. 22 (1986) 1887.
• 3) Y. Miyake and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 1280.
• 4) H. Saito, K. Nishi, Y. Sugimoto and S. Sugou: Electron. Lett. 35 (1999) 1561.
• 5) T. G. Kim, X.-L. Wang, K. Komori, K. Hikosaka and M. Ogura: Electron. Lett. 35 (1999) 639.

タイトルに関連する用語 (7件)： H2 ,  反応性イオンエッチング ,  作製 ,  GaInAsP ,  InP ,  多重層 ,  量子細線レーザ