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J-GLOBAL ID：200902209343401807   整理番号：05A0852208

熱処理に伴うHfSiO_x/SiO₂/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定

著者 (10件)： 三島永嗣 (大阪大) ,  川村浩太 (大阪大) ,  志村考功 (大阪大) ,  渡部平司 (大阪大) ,  安武潔 (大阪大) ,  神山聡 (半導体先端テクノロジーズ) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2005  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： J45  発行年： 2005年09月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱処理 ,...

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分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱処理 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  酸化反応 ,  散乱測定