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J-GLOBAL ID：200902209574729066   整理番号：08A0548995

薄いカリクサレンレジストに20x20nm²ピッチのドットアレーを30KeV電子ビームで描画する際の極めて小さい近接効果

Extremely Small Proximity Effect in 30 keV Electron Beam Drawing with Thin Calixarene Resist for 20×20 nm² Pitch Dot Arrays

著者 (7件)： HOSAKA Sumio (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  MOHAMAD Zulfakri (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  SHIRA Masumi (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  SANO Hirotaka (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  YIN You (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  MIYACHI Akihira (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  SONE Hayato (Gunma Univ., Gunma, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 2  ページ： 027003.1-027003.3  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は量子デバイスとパターン形成がされた媒体へカリクサレンレジストを用いて30KeVの電子ビームで描画した際の近接効果を研究した。15nm厚のカリクサレンレジストを塗布したシリコン基板に通常のEB描画システムを用いて,20-,25-,30-,40-nmピッチのレジストドットアレーを形成し,露光線量強度分布関数(EID)を測定した。その結果,近接効果は2μ正方形の中央,サイドと隅の25x25nm²ピッチドットアレーのドットサイズを比較すると,無視出来る程小さい。更に,EDI関数に於ける近接効果パラメータηは0.3以下である。電子ビーム描画とカリクサレンレジストシステムは超高密度のドットアレーパターンの形成に極めて適している。我々は20x20nm²ピッチでドット直径14nmのレジストドットアレー(約1.6Tb/in²)を実証し,パターン全面に渡り同じサイズであることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  レジスト ,  *パターン形成 ,  *近接効果 ,  網点 ,  配列 ,  *カリックスアレーン
準シソーラス用語： *カリキサレン ,  ドット

分類 (2件)： 粘性,粘弾性の計測法・機器  (AD05070R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• RITTNER, C. T. IEEE Trans. Magn. 2001, 37, 1649
• HOSAKA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1982, 21, 543
• ISHIDA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 3913
• KOJIMA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 2137
• HOSAKA, S. Microelectron. Eng. 2006, 83, 792

タイトルに関連する用語 (6件)： ピッチ ,  ドット ,  アレー ,  電子ビーム ,  描画 ,  近接効果