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J-GLOBAL ID：200902209980471800   整理番号：04A0020987

rf反応性スパッタリングで作製したTi-Si-N薄膜の構造と性質におよぼすスパッタリング条件の効果

Influence of sputtering conditions on the structure and properties of Ti-Si-N thin films prepared by r.f.-reactive sputtering

著者 (6件)： NOSE M (Takaoka National Coll., Takaoka, JPN) ,  DEGUCHI Y (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  MAE T (Toyama National Coll. of Technol., Toyama, JPN) ,  HONBO E (Toyama Industrial Res. Center, Takaoka, JPN) ,  NAGAE T (Toyama Industrial Res. Center, Takaoka, JPN) ,  NOGI K (Osaka Univ., Ibaraki, JPN)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 174/175  ページ： 261-265  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記薄膜のミクロ構造と力学的性質におよぼすSi含有量とスパッ...

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,...
準シソーラス用語： ナノ押込

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  反応性スパッタリング ,  作製 ,  Ti ,  Si ,  薄膜 ,  性質 ,  スパッタリング