AlAsを表面側バリア層に挿入した(411)A InGaAs/InAlAs変調ドープ歪量子井戸構造

文献

J-GLOBAL ID：200902211786982130 整理番号：06A0265882

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=06A0265882&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0265882&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 53rd 号： 1 ページ： 337 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0265882&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

半導体薄膜

, , , , , ,

前のページに戻る