連続波レーザ照射によるガラス上の薄膜トランジスタの予め規定した活性領域での選択的な単結晶性シリコンの成長

HARA A; YOSHINO K; TAKEUCHI F; SASAKI N

文献

J-GLOBAL ID：200902211916164869 整理番号：03A0184035

連続波レーザ照射によるガラス上の薄膜トランジスタの予め規定した活性領域での選択的な単結晶性シリコンの成長

Selective Single-Crystalline-Silicon Growth at the Pre-defined Active Region of a Thin Film Transistor on Glass by Using Continuous Wave Laser Irradiation.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0184035&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0184035&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 42 号： 1 ページ： 23-27 発行年： 2003年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

熱損傷を生じることなく,非アルカリガラス上の薄膜トランジスタ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0184035&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

固体デバイス製造技術一般 , トランジスタ

引用文献 (28件)：

1) T. Sameshima, S. Usui and M. Sekiya: IEEE Electron Device Lett. 7 (1986) 276.
2) K. Sera, F. Okumura, H. Uchida, S. Itoh, S. Kaneko and K. Hotta: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 2868.
3) H. Kuriyama, S. Kiyama, S. Noguchi, T. Kuwahara, S. Ishida, T. Nohda, K. Sano, H. Iwata, H. Kawata, M. Osumi, S. Tsuda, S. Nakano and Y. Kuwano: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 3700.
4) N. Ibaraki: Dig. Tech. Pap. 1999 SID (Society for Information Display, San Jose, CA, 1999) p. 172.
5) A. Hara, F. Takeuchi and N. Sasaki: J. Appl. Phys. 91 (2002) 708.

, , , , , ,

前のページに戻る