フローティングゲートとしてInAsナノドットを有するサブミクロンスケールのAlGaAs/GaAs電界効果トランジスタにおける電子輸送

KOIKE K; SASA S; INOUE M; YANO M

文献

J-GLOBAL ID：200902212440733610 整理番号：03A0329429

フローティングゲートとしてInAsナノドットを有するサブミクロンスケールのAlGaAs/GaAs電界効果トランジスタにおける電子輸送

Electron transport in a submicron-scale AlGaAs/GaAs field-effect transistor with InAs nanodots as the floating gate

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資料名：
巻： 21 号： 2 ページ： 710-713 発行年： 2003年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

フローティングゲートとして自己集合InAsナノドットを持つ,...

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トランジスタ

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