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J-GLOBAL ID：200902213301196089   整理番号：05A0974661

考案した電子ビーム誘起電流法による4H-SiCエピ層における結晶欠陥の非破壊解析

Nondestructive Analysis of Crystal Defects in 4H-SiC Epilayer by Devised Electron-Beam-Induced Current Method

著者 (6件)： NITANI Satoshi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YAMAGUCHI Kenji (Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN) ,  YANO Hiroshi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 37-41  ページ： L1271-L1274  発行年： 2005年10月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面マッピング電子ビーム誘起電流(EBIC)法を適用して,4...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 格子欠陥の観察・実験技術  (BK12020U)

引用文献 (12件)：

• 1) W. J. Choyke, H. Matsunami and G. Pensl: Silicon Carbide: Recent Major Advances (Springer, Berlin, 2003) p. 137.
• 2) H. Lendemann, F. Dahlquist, N. Johansson, R. Söderholm, P. A. Nilsspn, J. P. Bergman and P. Skytt: Mater. Sci. Forum 353–356 (2001) 727.
• 3) T. Ohno, H. Yamaguchi, S. Kuroda, K. Kojima, T. Senzaki and K. Arai: J. Cryst. Growth 271 (2004) 1.
• 4) M. Tajima, E. Higasa, T. Hayashi, H. Kinoshita and H. Shiomi: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 061914.
• 5) H. Fujiwara, T. Kimoto, T. Toji and H. Matsunami: Mater. Sci. Forum 483–485 (2005) 151.

タイトルに関連する用語 (7件)： 考案 ,  電子ビーム ,  誘起 ,  4H-SiC ,  エピ層 ,  結晶欠陥 ,  破壊解析