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J-GLOBAL ID:200902214081293017   整理番号:03A0532742

r面サファイア上でのa面GaNの堆積に対する新しい選択領域横方向エピタクシーアプローチ

A New Selective Area Lateral Epitaxy Approach for Depositing a-Plane GaN over r-Plane Sapphire
著者 (9件):
資料名:
巻: 42  号: 7B  ページ: L818-L820  発行年: 2003年07月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標題のアプローチによる,格子欠陥密度が極度に小さいGaN薄膜...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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