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J-GLOBAL ID：200902214784239324   整理番号：08A0076094

パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上

Acceleration of Crystal Growth by Pulsed Rapid Thermal Annealing using Ni-Ferritin

著者 (7件)： 越知誠弘 (奈良先端科学技術大学院大) ,  菅原祐太 (奈良先端科学技術大学院大) ,  三浦篤志 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  山下一郎 (奈良先端科学技術大学院大) ,  山下一郎 (松下電器産業 先端技研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 388(SDM2007 222-237)  ページ： 1-4  発行年： 2007年12月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄...

シソーラス用語： RTA【熱処理】 ,...
準シソーラス用語： Ni内包フェリチン ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (8件)：

• CAMMARATA, R. C. J. Mater. Res. 1990, 5, 2133
• JANG, J. Nature. 1998, 395, 481
• OKUDA, M. Biotechnol. Bioeng. 2003, 84, 188
• KIRIMURA, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 26
• KUO, Yue. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1092

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  急速熱処理 ,  Ni ,  内包 ,  フェリチン ,  結晶成長速度